這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。

氧化鋁拋光液的硬度高，穩(wěn)定性好，納米級的氧化鋁適用于光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、晶體表面等的精密拋光，應(yīng)用相當(dāng)廣泛。當(dāng)前，以高亮度GaN基藍(lán)光LED為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)在照明領(lǐng)域引起了很大的轟動，并成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。但GaN很難制備，在其它襯底晶片上外延生長薄膜，如藍(lán)寶石晶片或碳化硅晶片，因此晶片的拋光也成為關(guān)注的焦點(diǎn)。

近年來，國際上采用了一種新的工藝，即用Al2O3拋光液一次完成藍(lán)寶石、碳化硅晶片的研磨和拋光，大大提高拋光效率。不過，由于納米α-氧化鋁的硬度很高，因此拋光時易對工件表面造成嚴(yán)重的損傷；而且納米氧化鋁的表面能比較高，粒子易團(tuán)聚，也會造成拋光工件的劃痕、凹坑等表面缺陷。近年來對氧化鋁拋光液的研究主要集中在納米磨料制備、氧化鋁顆粒表面改性、氧化鋁拋光液混合應(yīng)用等方面。

拋光劑使用注意事項(xiàng)：使用前將拋光織物用清水濕透，避免摩擦發(fā)熱；啟動拋光盤后將拋光劑輕搖后倒置噴出；噴灑拋光劑時，應(yīng)以拋光盤中心為圓心沿半徑方向噴出，3-5秒即可。新織物噴灑時間應(yīng)相應(yīng)延長，以使織物有更好的磨拋能力；拋光過程中不斷加入適量的清水即可。

拋光劑用于各制造領(lǐng)域生產(chǎn)加工如：航空業(yè)、鑄造業(yè)、鋼鐵業(yè)、醫(yī)學(xué)業(yè)、軌道業(yè)，并且用于國家各科學(xué)院和各種試驗(yàn)及研發(fā)。拋光劑的作用主要是除某些非金屬夾雜物、鑄鐵中的石墨相、粉末冶金材料中的孔隙等特殊組織外，經(jīng)拋光后的試樣磨面，用浸蝕劑進(jìn)行“浸蝕”，以獲得（或加強(qiáng)）圖象襯度后才能在顯微鏡下進(jìn)行觀察。