TSV制程關(guān)鍵?藝設(shè)備
TSV制作?藝包括以下?步:通孔制作;絕緣層、阻擋層和種?層的 沉積;銅填充;
通過化學(xué)機(jī)械拋光去除多余的?屬;晶圓減薄;晶圓鍵合 等。 每?步?藝都有相
當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度,在通孔制作步驟,保持孔的形狀和控制 ?度非常重要,通過
Bosch?藝來實(shí)現(xiàn)深孔刻蝕;在沉積絕緣層、阻擋層 和種?層時,需要考慮各層
的均勻性和粘附性;銅填充時避免空洞等 缺陷,這樣填充的銅可以在疊層
器件較?的溫度下保持正常的電性能;? 旦完成了銅填充,則需要對晶圓進(jìn)?
減薄;后是進(jìn)?晶圓鍵合。
電鍍銅填充設(shè)備
很多成本模型顯示,TSV填充?藝是整個?藝流程中昂貴的步驟之?。 TSV
的主要成品率損耗之?是未填滿的空洞。電鍍銅?藝作為合適的硅 通孔填充
技術(shù)受到業(yè)內(nèi)的普遍關(guān)注,其關(guān)鍵技術(shù)在于TSV?深寬比(通常 ?于10:1)通孔的
全填充電鍍技術(shù)。
封裝之TSV及TGV技術(shù)初探
其中,玻璃誘導(dǎo)刻蝕法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上產(chǎn)?變性區(qū)域;2)將激光處理過的玻璃放在 氫氟酸溶液
中進(jìn)?刻蝕。
所屬分類:電子產(chǎn)品制造設(shè)備/蝕刻機(jī)
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