刀刃部分采用精密電鑄工藝制備而成，刀刃厚度范圍：10μm~100μm，微粉粒徑范圍：1500#~5000#。
擁有6檔磨粒集中度等級，適用晶圓種類范圍更廣；具有出色的通用性，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜場景的劃切需求，包括切割道內(nèi)含有金屬、 Pl/PO等各類工況；在切割水含有CO2的環(huán)境中，表現(xiàn)出的耐腐蝕性能；在劃切超厚晶圓時（如晶圓級封裝芯片），槽型可穩(wěn)定保持垂直狀態(tài)。
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目前，機械式金剛石切割是劃片工藝的主流技術(shù)。在這種切割方式下，金剛石刀片（Diamond Blade）以每分鐘3萬轉(zhuǎn)到4萬轉(zhuǎn)的高轉(zhuǎn)速切割晶圓的街區(qū)部分，同時，承載著晶圓的工作臺以一定的速度沿刀片與晶圓接觸點的切線方向呈直線運動，切割晶圓產(chǎn)生的硅屑被去離子水（DI water）沖走。依能夠切割晶圓的尺寸 ，目前半導(dǎo)體界主流的劃片機分８英寸和12英寸劃片機兩種。
高密度的金剛石顆?？梢匝娱L劃片刀的壽命，同時也可以減少晶圓背面崩角。而低密度的金剛石顆?？梢詼p少正面崩角。硬的粘結(jié)材料可以更好地“固定”金剛石顆粒，因而可以提高劃片刀的壽命，而軟的粘結(jié)材料能夠加速金剛石顆粒的“自我鋒利”（Self Sharpening）效應(yīng)，令金剛石顆粒保持尖銳的棱角形狀，因而可以減小晶圓的正面崩角或分層，但代價是劃片刀壽命的縮短。刀鋒的長度應(yīng)根據(jù)晶圓的厚度，承載薄膜的厚度，大允許的崩角的尺寸來進(jìn)行定義，刀鋒不能選得過長，因為長的刀鋒會在切割時引起刀片的擺動，會導(dǎo)致較大的崩角。
劃片機一般提供兩種切割模式，單刀切割（Single Cut）和臺階式切割（Step Cut），實驗證明，劃片刀的設(shè)計不可能同時滿足正面崩角、分層及背面崩角的質(zhì)量控制的要求。這個結(jié)論對于晶圓厚度大于7 mil的低k晶圓尤為適用。為了減小正面金屬層與ILD層的分層，薄劃片刀會被采用，若晶圓較厚，則需選取刀鋒較長的刀片。但須注意，具有較高刀鋒／刀寬比的劃片刀在切割時會產(chǎn)生擺動，反而會造成較大的正面分層及背面崩角。
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通常在切割前會在晶圓背部貼上UV膜或藍(lán)膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機中，設(shè)置好程序開始劃片，劃片結(jié)束后拿出晶圓，進(jìn)行解UV等工序。藍(lán)膜成本較低，但是需要通過機械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。
崩邊
正崩主要發(fā)生在晶圓的切割面（正面），背崩是指晶圓背面的崩邊。不管正崩與背崩，在晶圓劃片時都是不被允許的。崩邊產(chǎn)生的原因有：
1，不恰當(dāng)?shù)那懈顓?shù)導(dǎo)致崩邊
2，刀片磨損嚴(yán)重，鈍化的刀片邊緣增加了切割過程中的不規(guī)則作用力，從而增加了崩邊的可能性
3，刀片中的金剛石等磨料顆粒在切割過程中與晶圓表面材料發(fā)生撞擊，導(dǎo)致崩邊
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