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嘉興平湖長晶爐回收控制屏回收聯(lián)系電話

更新時間1:2025-09-18 信息編號:7b17ors4f1d3bd 舉報維權(quán)
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供應(yīng)商 上海河辰物資回收利用有限公司 店鋪
認證
報價 人民幣 200000.00元每臺
關(guān)鍵詞 長晶爐回收
所在地 上海市
王先生
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5年

產(chǎn)品詳細介紹

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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運的分析,采用實驗和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45
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干式電力樹脂變壓器,高壓開關(guān)柜,低壓配電柜,施耐德接觸器、真空斷路器、NEC斷路器、富士通繼電器、西門子接觸器,互感器、調(diào)壓器、整流器、進口矽鋼片、硅鋼片、電力設(shè)備、空調(diào)冷水機組、風冷機組、溴化鋰機組、回收電梯、自動扶梯、觀光電梯、汽車梯、老式貨梯、燃氣鍋爐、臥式鍋爐、交換器、進口發(fā)電機組、康明斯、大宇、東風等等、行車、叉車、集裝箱、機械設(shè)備、制冷設(shè)備、化工設(shè)備、起重設(shè)備、辦公設(shè)備、酒店設(shè)備、污水處理設(shè)備

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除塵機理示、擴散當含塵氣流中的粉塵顆粒粒徑小于1Lm 以下,特別小于0.1Lm 時,這些顆粒在隨氣流運動時不再沿著氣體流線繞流捕集物,因而也再不能遵循慣性碰撞或接觸阻留的機理被捕集物所捕集分離,而另一捕集機理——擴散在起作用。由于氣體分子之間的熱運動而產(chǎn)生的不規(guī)則運動,使氣體分子之間的熱運動而產(chǎn)生的不規(guī)則運動,使氣體分子轟擊著粉塵顆粒而使顆粒作擴散,可以使粉塵顆粒均勻地分布于整個氣體空間。真空技術(shù)網(wǎng)(認為如果有一物體置于氣體之中,一些超微顆粒通過擴散而沉降在這物體的表面上,從而使這些超微顆粒從氣體中捕集分離、靜電力懸浮在氣流中的塵粒,如帶有一定的電荷,可以通過靜電力使它從氣流中分離。由于自然狀態(tài)下,塵粒的荷電量很小,因此,要得到較好的除塵效果,設(shè)置的高壓電場,使所有的塵粒都充分荷電。凝聚凝聚作用不是一種直接的除塵機理。通過超聲波、蒸汽凝結(jié)、加濕等凝聚作用,可以使微小粒子凝聚增大,然后再用一般的除塵方法去除。我們設(shè)計除塵器時要根據(jù)不同的具體情況,考慮一定的需要,采用某種除塵機理或者是幾種除塵機理的綜合運用。表1 列出幾種除塵機理的除塵情況供為參考。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱:直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù):圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖;圖1-2 中,l為爐筒,2為保溫蓋,3為保溫蓋,4為保溫材津牛,5為保溫罩,6為 加熱器,7為水套,8為石英堝,9為導(dǎo)流筒,IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入,并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合,由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成, 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上,從而影響了單晶爐的使用壽命。

所屬分類:設(shè)備回收/壓縮分離設(shè)備回收

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