北京節(jié)日燈飾照明北京節(jié)慶燈飾照明
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文化是一個城市的特標志，景觀照明是文旅項目的佳呈現(xiàn)方式。而塑造文化旅游項目差異化的方式則是看燈光設計項目的主題、布局、表現(xiàn)和節(jié)奏。眾所周知，文化旅游景觀承載著一個城市文化文脈的表達和傳承，需要結合景區(qū)的文化特色進行燈光設計。
照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向?qū)ǎ聪蚪刂埂舸┨匦?。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。
眩光：視野內(nèi)有亮度的物體或強烈的亮度對比，所造成的視覺不舒適稱為眩光，眩光是影響照明質(zhì)量的重要因素。
同步性：兩個或兩個以上LED燈在不規(guī)定時間內(nèi)能正常按程序設定的方式運行，一般指內(nèi)控方式的LED燈，同步性是LED燈實現(xiàn)協(xié)調(diào)變化的基本要求。
防護等級：IP防護等級是將燈具依其防塵、防濕氣之特性加以分級，由兩個數(shù)字所組成，個數(shù)字代表燈具防塵、防止外物侵入的等級（分0-6級），第二個數(shù)字代表燈具防濕氣、防水侵入的密封程度（分0-8級），數(shù)字越大表示其防護等級越高。
光周期：自然界或人造的能夠影響生物有機體的亮暗循環(huán)。
光度測量：根據(jù)給定的光效函數(shù)，如V(λ)和V’(λ)，測量輻射量的方法。
光強分布：光源或者燈具在空間各個方向的光強分布。
光強曲線圖（表）：光強由極坐標或者圖表給出，表中的數(shù)值為光源在每1000流明光通時產(chǎn)生的光強。對于光強非對稱分布的情況，可采用兩個不同平面內(nèi)的光強分布圖來表示該燈具的光強分布情況。
