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產(chǎn)品類別： 削棉機(jī)系列 產(chǎn)品編號(hào)： GM-1300 產(chǎn)品名稱： GM-1300轉(zhuǎn)盤削棉機(jī) 產(chǎn)品說明： 用途： ※ 采用帶形刀和木制的或者人造膠木模具來切削海綿或者填充棉以便取得帶有輕薄..10月31日 -
電動(dòng)削土豆皮機(jī) 削皮機(jī)廠家 馬鈴薯去皮機(jī)價(jià)格 土豆去皮機(jī)不僅可以脫皮而且還有清洗功能、有效容積大、效率高，節(jié)水，可持續(xù)清洗，操作簡(jiǎn)單，利用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，刷輥材料經(jīng)特殊工藝措06月18日
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43210.00元銅管回收廠家直接上門回收價(jià)格高、銅板回收量大從優(yōu)、銅削回收多少錢一斤、銅線回收價(jià)格高聯(lián)系盛利公司我們有著很多成功的回收案例，也在這方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司秉承“誠(chéng)信、09月03日
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1500000.00元Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。鉭雖然在19世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開始工業(yè)生產(chǎn)鉭。因此，世..09月03日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。五氧化二鉭靶材----..09月03日
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1500000.00元Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結(jié)..09月03日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月03日
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1500000.00元鉭 Ta，金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì)，具有極高的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件..09月03日
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1500000.00元鉭磁控濺射靶材所具有的特性，使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一，是電子工業(yè)和空間技術(shù)發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料在制取各種無機(jī)酸的設(shè)備中，鉭可用來替代不銹鋼，壽命可比不銹鋼..09月03日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月03日
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1500000.00元鉭的硬度較低，并與含氧量相關(guān)，普通純鉭，退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點(diǎn)高達(dá)2995℃中國(guó)鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國(guó)初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況..09月03日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月03日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。鉭的硬度較低，并與含氧量相關(guān)，普通純鉭，退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點(diǎn)高達(dá)2995℃電容器是鉭的主要終..09月03日
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1500000.00元但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會(huì)被腐蝕，只有在高于此溫度才會(huì)有反應(yīng)，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米鉭的硬度較..09月03日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結(jié)晶粉末，是鉭常見的氧..09月03日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月03日
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1500000.00元Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會(huì)被腐蝕，只有在高于此溫度才會(huì)有反應(yīng)，在175度的中1..09月03日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì)，具有極高的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。鉭的硬度較低..09月03日
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1500000.00元五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結(jié)晶粉末，是鉭常見的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射..09月03日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月03日
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