NCE6080KNCEN通道增強(qiáng)模式電源MOSFET中文規(guī)格書
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更新時間：2021-12-09 信息編號：262c05hvs897eb

價格：
面議
品牌：
新潔能
用途：
驅(qū)動IC
關(guān)鍵詞：
新潔能,電源MOS,N通道MOS,NCE6080K

馬小姐

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NCE6080KNCEN通道增強(qiáng)模式電源MOSFET中文規(guī)格書

產(chǎn)品別名	N通道MOS,低柵極充電,電源管理IC,MOS IC	面向地區(qū)	廣東深圳	品牌	新潔能
用途	驅(qū)動IC	封裝	TO-252	功率	10w
型號	SMD

深圳市大東微電子有限公司為您提供NCE6080K詳細(xì)資料可提供技術(shù)支持

NCE6080K采用的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供的RDS(ON)與低柵極充電。它可以用于廣泛的應(yīng)用。一般功能●VDS=60V，ID=80ARDS（開）<8.5mΩ@VGS=10V●高密度電池設(shè)計Rdson●完全特征雪崩電壓和電流●良好的穩(wěn)定性和一致性與高EAS●良好的散熱應(yīng)用●PWM●負(fù)載開關(guān)UIS測試！的?Vds測試！
注：1。重復(fù)額定值：脈沖寬度受高接結(jié)溫度的限制。 2.表面安裝在FR4板上，t≤10秒。 3.脈沖測試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。 4.由設(shè)計，不受生產(chǎn)的約束5。EAS條件：Tj=25℃，VDD=20V，VG=10V，L=0.5mH、Rg=25Ω

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