氮化硅球批量生產(chǎn)<br>

氮化硅晶須的加入對(duì)試樣的氣孔率沒(méi)有基本上沒(méi)有影 響, 試樣的氣孔率都大約在60% 晶須在試樣內(nèi)呈無(wú)序分布, 在其表面上有氮化硅絮狀物 生成這些反應(yīng)生成的絮狀物與晶須的結(jié)合界面不緊密, 容易存在微觀缺陷 隨著晶須含量的增加, 試樣的介電常數(shù)與介電損耗都上 升, 且有損耗峰的出現(xiàn), 試樣的介電性能化<br>

莫氏硬度9~9.5，維氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa
在空氣中開(kāi)始氧化的溫度1300~1400℃<br>

燒結(jié)氮化硅,其熱膨脹系數(shù)較低,為2.53×10-6/℃,導(dǎo)熱率為?18.42?W/m·K,因此它具有優(yōu)良的抗熱震性能,僅次于石英和微晶玻璃,有實(shí)驗(yàn)報(bào)告說(shuō)明密度為2500kg/m3的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅試樣由1200℃冷卻至20℃熱循環(huán)上千次，仍然不破裂，氮化硅陶瓷的熱穩(wěn)定性好，可在高溫中長(zhǎng)期使用<br>

不同晶相得氮化硅外觀是不同的，α- Si3N4呈白色或灰白色疏松羊毛狀或針狀體，β- Si3N4則顏色較深，呈致密的顆粒狀多面體或短棱柱體，氮化硅晶須是透明或半透明的，氮化硅陶瓷的外觀呈灰色、藍(lán)灰到灰黑色，因密度、相比例的不同而異，也有因添加劑呈其他色澤<br>

而15%AT氧化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)小,說(shuō)明這種陶瓷內(nèi)部由鈦酸鋁冷卻過(guò)程中產(chǎn) 生的微裂紋多,吸收該陶瓷晶粒正膨脹作用大測(cè)溫范圍擴(kuò)大到10°C～750°C時(shí),15%AT陶瓷的熱膨脹系數(shù)高,10%AT陶瓷的熱膨脹系數(shù)低,其機(jī)理有待于進(jìn)一步深入研究<br>

氮化硅是一種共價(jià)化合物，所以原子之間以較強(qiáng)的共價(jià)鍵相互結(jié)合，所以它具有很高的硬度及熔點(diǎn)<br>

α碳化硅制成制成防暈帶后電阻率升高值下降，顆粒越粗，值下降越大;防暈帶與粉料的非線(xiàn)性性質(zhì)有相似的規(guī)律，而α碳化硅具有比β碳化硅低得多的電阻率和較大的非線(xiàn)性系數(shù)，并且其電阻率和非線(xiàn)性系數(shù)收到粉料的粒徑、合成溫度和涂層有機(jī)物含量等因素的直接影響<br>

彈性模量310GPa<br>
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