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為加工更細(xì)的線寬，EUV(極紫外)光刻技術(shù)或電子束光刻技術(shù)將替代目前的193nm浸沒式光刻技術(shù)。從經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)規(guī)模出發(fā)，采用18英寸(450nm)晶圓和建設(shè)單片晶圓全自動生產(chǎn)線或?qū)⑹切碌慕鉀Q方案?？梢韵胂蟮?/3nm及以下特征尺寸時，半導(dǎo)體芯片工藝又將進(jìn)入一個相對全新的時代。