關(guān)鍵詞 |
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面向地區(qū) |
全國(guó) |
金屬靶材:
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射
主要應(yīng)用
編輯
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類(lèi)
根據(jù)形狀可分為方靶,圓靶,異型靶
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板,鋯圓靶,鋯管靶,鋯靶,鈦靶,鉻靶
合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶,鉿靶,鋯管靶,鋯板靶,鈦板靶,鈦板
金屬鋯靶材,金屬鉿靶,金屬鈦靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
可根據(jù)用戶(hù)需要制作。
鋯盤(pán)管換熱器:
規(guī)格;標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,功率有1.5KW-50KW,
形態(tài);根據(jù)加熱功率,可制成“L”型,“U” “0"型等,并可附有過(guò)熱保護(hù)裝置。
用途;適用于鈦無(wú)法勝任的酸、堿介質(zhì)中(氫氟酸除外)。
在聚合物的生產(chǎn)中,鋯的應(yīng)用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍,比鈦約高 2倍,但它經(jīng)久耐用足以彌補(bǔ)成本費(fèi)。
鋯管-----玻璃鋼反應(yīng)釜有如下優(yōu)點(diǎn):
1、使用壽命長(zhǎng),至少3年以上。
2、免維護(hù),省卻設(shè)備的維修費(fèi)用及停工成本費(fèi)用。
3、高工效,因鋯金屬導(dǎo)熱性能強(qiáng),其加熱及降溫速度快。5方母液、8平方換熱面積,從120℃降至40℃不超過(guò)90分鐘。蒸汽與冷卻水可隨時(shí)切換。
4、安全性能高,由于玻璃鋼的柔韌性,不會(huì)像普通釜那樣由于掉黏而被迅速腐蝕,產(chǎn)生漏液的危險(xiǎn)。
5、耐腐蝕性能更優(yōu),能耐住氣態(tài)氯及氣態(tài)氫的混合腐蝕,在雙甘膦及草甘膦的生產(chǎn)中優(yōu)勢(shì)更為明顯。
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