隨著汽車的電子化和EV、HEV的實用化以及SiC/GaN器件的亮相等，車載功率半導(dǎo)體正在走向多樣化。比如，不僅是單體的功率MOSFET，將控制IC（電路）一體化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品種不斷增加。

多樣化了的車載功率半導(dǎo)體，尤其是EV和HEV用車載功率半導(dǎo)體的耗電量不斷增加，為了應(yīng)對這個問題，就要求封裝實現(xiàn)（1）低電阻、（2）高散熱、（3）高密度封裝。而AS9385燒結(jié)銀工藝正是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)。

燒結(jié)銀一般粘結(jié)大功率器件，比如第三代半導(dǎo)體，大功率LED，射頻器件等；一般的導(dǎo)電銀膠粘結(jié)普通的代集成電路封裝，對導(dǎo)電導(dǎo)熱效果要求不高的界面等。

對于大功率芯片封裝來說，燒結(jié)銀表現(xiàn)出了傳統(tǒng)解決方案所沒有的優(yōu)勢。