隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其中，絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）模塊作為一種功率開關(guān)器件，著電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展。

IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足高功率、高電壓和高頻率的需求。

IGBT模塊的基本構(gòu)成包括多個(gè)IGBT器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和散熱結(jié)構(gòu)。這些組件相互協(xié)作，使得IGBT模塊能夠在復(fù)雜的電力應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

3AU

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