燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)
1.什么是燒結(jié)銀技術(shù)
20世紀(jì)80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，即通過(guò)銀燒結(jié)銀顆粒AS9385實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件與基板的互連方法。

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①燒結(jié)連接層成分為銀，具有的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能；②由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)（961℃），將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有的可靠性；

③AS9385所用納米銀材料具有和傳統(tǒng)軟釬焊料相近的燒結(jié)溫度；④燒結(jié)材料不含鉛，屬于環(huán)境友好型材料，并且避免清洗的過(guò)程，節(jié)省了時(shí)間，降低了成本。

相對(duì)于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前，AS9385銀燒結(jié)技術(shù)已受到高溫功率電子領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊的芯片互連界面材料。

芯片轉(zhuǎn)印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個(gè)相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。