剪切強(qiáng)度大（剪切強(qiáng)度大于80MPA（2*2鍍金芯片））；
4.操作簡(jiǎn)單（無(wú)需加壓，普通烘箱即可燒結(jié)）；

5 無(wú)鉛環(huán)保（，無(wú)需清洗）
6.可靠性高。（低溫?zé)Y(jié)，高溫服役）
二、無(wú)壓燒結(jié)銀芯片工藝流程
1印刷或者點(diǎn)膠；2貼片；3預(yù)烘；4燒結(jié)

三、無(wú)壓燒結(jié)銀的應(yīng)用
1.功率半導(dǎo)體應(yīng)用
燒結(jié)銀技術(shù)功率測(cè)試板塊一旦通過(guò)了高溫循環(huán)測(cè)試，就可以至少提高五倍的壽命，實(shí)現(xiàn)從芯片到散熱器的封裝連接。

3.航空航天
無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376技術(shù)可以讓航天航空領(lǐng)域里面的電子器件，保持更加穩(wěn)定的工作溫度和可靠耐用程度。

需要形成金屬鍍層與基板之間的原子擴(kuò)散,形成原子結(jié)合。該連接需要在AS9375系列燒結(jié)銀互連過(guò)程中穩(wěn)定,需要在可靠性測(cè)試：比如溫度循環(huán)測(cè)試，高低溫測(cè)試等測(cè)試中保持高剪切強(qiáng)度的連接,并且具有較低的界面熱阻。

4、金屬間化合物盡量少
需要盡量避免產(chǎn)生金屬間化合物。金屬間化合物一般為脆性,三元金屬間化合物比二元金屬間化合物更脆,易導(dǎo)致可靠性問(wèn)題。如不能避免,需要盡量形成較薄的、不連續(xù)的金屬間化合物層。