終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計需求日益增強(qiáng)，與此同時，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，

在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個導(dǎo)線架搭兩個芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架制作是很大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。可分為功率IC和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對可靠性的要求越來越高，當(dāng)前的封裝材料已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

在能源效率新時代，SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關(guān)電源、軌道交通、變頻器等應(yīng)用場景，接下來將逐步打開更大的發(fā)展空間。