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四、使用說(shuō)明? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?產(chǎn)品工藝性能較好，可直接施工，施工方法可采用毛筆涂抹、滾涂、點(diǎn)膠機(jī)自動(dòng)擠出或絲網(wǎng)印刷。

?對(duì)所有接觸表面用溶劑清潔后再涂抹硅脂，填滿間隙的前提下越薄越好，多涂并無(wú)益處，反而會(huì)影響熱傳導(dǎo)

效率。

?用干凈的工具如剃刀片，信用卡邊或干凈的小刀挑起少許導(dǎo)熱硅脂轉(zhuǎn)移到施工部位，用刮板刮平，再用無(wú)絨布將施工部

位周邊多余的導(dǎo)熱硅脂擦干凈。

五、包裝? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?塑料筒裝，凈容量為300ML、500ML、1L、5L；

?金屬軟管包裝, 凈容量為50ML、100ML?300ML 2600ML 10KG。

按照應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹(shù)脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類(lèi)。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。