聯(lián)系人鮑紅美固化時間24小時

該膠黏劑可以耐1500℃甚至更高的溫度，導熱系數(shù)0.06w/m*k，可以作為陶瓷、玻璃、金屬等涂層材料。噴涂在金屬，石英等物體表面，低溫烘干，附著力非常好，堅硬，不開裂，不起泡，耐1500度高溫，可以用在使用在鐵，鋼，石英，陶瓷，玻璃等表面。尤其在石英加熱管中得到特殊應用，石英加熱管表面鍍上一層耐高溫的白色反射涂層QK-003，大大增強了短波紅外線的熱效應。使能量不走反面散失，真正起到了環(huán)保增效節(jié)能的作用，具有反射功能，可更有效的利用紅外線輻射，紅外線利用率可高達75%以上，提高紅外線輸出，使得紅外線強度更高。

按照應用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠化學品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。
以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。